2026-09-06
德国高管称中国光刻技术仍需时日,中国反击不断创新
最近,德国蔡司的高层在接受采访时声称,中国在极紫外光(EUV)光刻技术上的追赶还需十五年,这一言论引起了许多人的担忧,似乎是对中国半导体发展的一种封锁和打压。然而,中国工程师对此反应冷静,并未按对方的思路回应,而是悄然寻求新的解决方案。
ASML的EUV光刻机备受全球追捧,其核心光学部件全部由蔡司提供。德国这个老牌企业在镜片制造上积累了深厚的技术,能够将平整度误差控制在0.1纳米。但这种尖端技术并非容易复制,其背后是一代又一代工匠不断探索与积累的结果。另外,EUV光的特性使得它在空气中很容易被吸收,蔡司采用的多层膜反射镜反射率也仅为60%,最终到达硅片上的光能不足1%。
从表面上看,德国高管的论调似乎有一定道理,但中国工程师们并不是单打独斗。历史上,半导体行业曾经历过一次技术突围,彼时日本的尼康和佳能主导了光刻机市场,台积电的林本坚通过水的折射率创新性地突破了193纳米的传统限制,使得ASML崭露头角。这种思维转变使得行业格局发生了根本性变化。 龙8头号玩家
现如今,中国正在重演这一幕。虽然目前中国主要掌握DUV光刻机,最先进的技术可达28纳米,但通过自适应四重曝光的方式,依然可以实现7纳米的线路制作。相较于传统的二维芯片设计,中国团队通过三维堆叠方法提升了芯片的密度和性能,表现令人瞩目。
华为推出的昇腾910C芯片采用了创新的堆叠设计,将多个小型芯片组件利用硅通孔技术连接,提高了带宽,并计划在未来推出更具性能的芯片。即使单颗芯片的制程稍落后,整体系统的算力依旧具备强大竞争力。
当今西方在设计AI芯片时常常采用将所有计算能力集中在一块大的晶圆上,这种方法虽然直观,却在生产中面临高风险。相较之下,中国团队策略转向在成本和良率上做文章,借助高速互联技术,构建起一套灵活的微型芯片网络。 龙8头号玩家
此外,清华团队正在推进一种新型光刻厂的概念,通过大型环形电子加速器生成极紫外光,极大提升了光源的纯净度和稳定性。这种基础设施的建设,恰好是中国所擅长的,提升了整体生产效率。
蔡司的说法或许在传统路径上是准确的,但实际上,客户关注的不是光刻机本身,而是最终的计算能力。在手段受限的情况下,中国不断寻求新的方法和思路重新定义技术的获取之路。这场斗争中,蔡司自信地展望未来,而中国则在不为人知的路径上悄然发力,推动着技术的进步和市场的变化。